鎮江光學鍍膜機定制

鍍膜機工藝在集成電路制造中的運用，鍍膜機晶體管路中的保護層（SiO2、Si3N4）、電極管線（多晶硅、鋁、銅及其合金）等多是選用CVD技能、PVCD技能、真空蒸騰金屬技能、磁控濺射技能和射頻濺射技能。可見氣相堆積術制備集成電路的**技能之一。

需要鍍膜的被稱為基片，鍍的材料被稱為靶材。 基片與靶材同在真空腔中。
蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經歷成膜過程，終形成薄膜。

主要分類有兩個大種類： 蒸發沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等 。
一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來。
厚度均勻性主要取決于：
1、基片材料與靶材的晶格匹配程度
2、基片表面溫度
3. 蒸發功率，速率
4. 真空度
5. 鍍膜時間，厚度大小。
組分均勻性：
蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。
晶向均勻性：
1、晶格匹配度
2、 基片溫度
3、蒸發速率
濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之一。
濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈沖濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。

派瑞林parylene真空氣相沉積設備又名派瑞林鍍膜機、哌拉倫鍍膜機，是用于電路板pcba、線圈馬達、硅橡膠制品、磁性材料、led/oled、傳感器、微電子產品、電池、產品、書籍畫卷等產品鍍膜的設備，與傳統的三防噴涂設備不同，它采用了一種特的化學氣相沉積工藝（cvd），沉積過程過程主要有以下三個步驟：
     1. 真空環境，溫度130℃條件下，固態派瑞林材料升華成氣態。
     2. 真空環境，溫度680℃條件下，將氣態雙分子裂解成為活性單體。
     3. 真空環境，常溫下，氣態單體在基體上生長聚合，形成致密的防護膜。
     的沉積過程決定了派瑞林parylene膜層厚度可以自由控制、膜層厚度整體比較均勻、膜層比較完整無薄弱點無針孔等特點，所以被涂敷后的產品膜層防護性能明顯**噴漆、環氧、電鍍等傳統三防工藝，防水、絕緣、耐鹽霧、耐腐蝕的防護效果也較好，從而提高產品性能，延長適用壽命。
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